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光刻机是什么时候发明的 光刻机是什么


光刻机是什么时候发明的 光刻机是什么

文章插图
它是光刻机芯片生产的核心设备之一 。按其用途可分为几种:芯片生产用掩膜版曝光机；包装用掩模对准器；LED制造领域也有投影掩膜瞄准镜 。
用于生产芯片的光刻机是国内半导体设备制造最大的短板，国内晶圆厂所需的高端光刻机完全贴在入口 。厦门这次从荷兰进口的光刻机就是用于芯片生产的设备 。
二、任务原因
在光刻机的芯片加工过程中，利用一系列光源能量和形状来掌握手腕，使光束通过带有电路图的掩模，各种光学偏差由工艺物镜补偿 。电路图按比例缩小，映射到硅片上，然后化学显影，刻在硅片上的电路图丢失 。
【光刻机是什么时候发明的 光刻机是什么】单独的光刻工艺要经历清洗钻孔硅片、涂底漆、旋涂光刻胶、软烘烤、瞄准曝光、后烘烤、显影、硬烘烤、激光蚀刻等过程 。在一次光刻之后，芯片可以被连续地胶合和曝光 。芯片越复杂，线路图的层数越多，曝光所需的工艺越精确 。
光刻机的影响是刻蚀芯片的功能和电路，虽然也包括制作大规模集成电路如处理器或存储颗粒，闪存颗粒等等 。-光刻机是制造MEMS、光电和二极管LSI的关键设备 。可分为两种，一种是与图形尺寸相同模板的作战瞄准镜，曝光时模板紧贴芯片；此外，通过在整个过程中应用类似于投影仪的步进机，获得比模板的曝光图案更小的曝光图案 。
光刻机可以做到，但是精度不如国外 。成都光机所和中科院四十五所能够制作出严格的掩模版 。上海微电子设备有限公司可以制造投影光刻机 。平板LED、IC后通道、微米掩模瞄准器等 。被大量出售 。以前的IC掩模瞄准具需要高分辨率 。目前只能做几百、几十纳米的光刻机，而国外已经推出了13纳米的光刻机 。核心技术包括投影物镜、精密移动平台和精密测量系统 。在光刻机初期，镜头、传感器、电机这些关键都是入口 。
EUV(极紫外)是利用EUV波长的新一代光刻技术，其波长为13.5 nm 。因为光刻精度是几个纳米，所以EUV对光的会聚度要求非常高，相当于拿着手电筒照射不到一枚硬币跨度的月斑 。要求镜长30cm，稳定性小于0.3nm，相当于北京到上海的铁路轨道稳定性小于1mm 。一台EUV光刻机重达180吨，整机超过10万台，运输需要40个集装箱，调试设备需要一年多时间 。
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