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阿斯麦|ASML发力：EUV光刻将迎来重大升级( 二 )


ASML推出的 ， 由金属硅化物制成的最新原型展示了90.6％的透射率 ， 0.2％的不均匀性以及在400W光源下反射率小于0.005％的情况 。
ASML防护薄膜产品经理Raymond Maas在接受Bits＆Chips.nl采访时说：“此次升级支持我们的路线图 ， 最终将使电源功率高达400瓦 。” “在该功率水平下 ， 薄膜被加热到600ºC ， 而多晶硅则无法承受 。”
相比之下 ， Imec的原型防护膜的透射率为97.7％ 。实际上 ， 从长远来看 ， 当可以使用更高级的光源时 ， 将需要更复杂的防护膜 ， 这就是Imec基于碳纳米管的防护膜将发挥作用的地方 。
“很少有材料具有超过90％的高EUV透射率的潜力 ， 甚至更少的材料可以同时兼容超过600W的EUV功率 。此外 ， 防护膜必须坚固 ， 才能悬挂在大面积的光罩上（〜 110mm x 140mm） ， ”来自Imec的研究人员Joost Bekaert说 。
不幸的是 ， 目前尚不清楚Imec的基于碳纳米管的防护膜何时准备就绪 。
现在 ， 台积电（TSMC）和三星（Samsung Foundry）发明了使用EUV光刻工具生产较小芯片的多die掩模 ， 而不需要防护膜的方法 ， 但是这种方法存在风险 ， 因为任何颗粒添加剂都可能成为导致产量下降的缺陷 。
此外 ， 这样的方法对于较大的芯片和单die光掩模来说是有风险的 ， 因此 ， 防护膜对于使用EUV工具制造大型die至关重要 。也就是说 ， 无论光掩模的尺寸大小如何 ， 都需要使用防护膜来提高EUV产量并降低整个领域的风险 。
总体而言 ， EUV防护膜的使用和改进将是一个循序渐进的过程 。由ASML开发和制造的初始防护膜 ， 不久将由三井制造 ， 足以满足当今的某些需求 ， 但其透射水平仍有改进的空间 ， 这由ASML和Imec的下一代原型证明 。
由于这些机器将拥有更强大的光源 ， 因此也需要更好的防护膜来应对未来的扫描仪 。但是 ， 由于这样的防护膜具有许多无可争议的优点 ， 它们将被芯片制造商使用 ， 因为即使以一些生产率为代价 ， 它们也可以帮助提高产量 。
【阿斯麦|ASML发力：EUV光刻将迎来重大升级】
阿斯麦|ASML发力：EUV光刻将迎来重大升级
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